SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
- Код виробника: C2M0280120D
- Виробник: Wolfspeed, Inc.
- Код: C2M0280120D-ND
- Інформація: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
- Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Part Status: Not For New Designs
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 20V
- Vgs (Max): +25V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 1000V
- Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-247-3
- Package / Case: TO-247-3
digikey
Доступно штук: 14415
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 728,621 грн |
30+ | 581,745 грн |
120+ | 520,505 грн |
510+ | 459,270 грн |
1020+ | 413,343 грн |
tme
Доступно штук: 71
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 468,388 грн |
5+ | 446,895 грн |
farnell
Доступно штук: 112
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 653,812 грн |
5+ | 576,019 грн |
10+ | 497,352 грн |
50+ | 494,729 грн |
100+ | 491,233 грн |
250+ | 483,366 грн |