MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
- Код виробника: UF3C065080T3S
- Виробник: Qorvo
- Код: 2312-UF3C065080T3S-ND
- Інформація: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 650 V 31A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
- Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
- FET Type: N-Channel
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: P-Channel
- Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 15V
- Vgs (Max): ±25V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 100V
- Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-220-3
- Package / Case: TO-220-3
digikey
Доступно штук: 7579
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 334,957 грн |
| 50+ | 267,163 грн |
| 100+ | 247,556 грн |
farnell
Доступно штук: 120
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 603,994 грн |
| 5+ | 539,482 грн |
| 10+ | 474,970 грн |
| 50+ | 447,552 грн |
| 100+ | 419,328 грн |
| 250+ | 363,686 грн |