MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Код виробника: BSM120D12P2C005
- Виробник: Rohm Semiconductor
- Код: BSM120D12P2C005-ND
- Інформація: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Безкоштовна доставка
Характеристики
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
- Packaging: Bulk
- Part Status: Active
- FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
- Power - Max: 780W
- Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Supplier Device Package: Module
digikey
Доступно штук: 33
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 22170,829 грн |
| 10+ | 21858,287 грн |
farnell
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 28455,437 грн |
| 5+ | 27476,467 грн |