Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
  • Код виробника: EPC2106ENGRT
  • Виробник: EPC
  • Код: 917-EPC2106ENGRDKR-ND
  • Інформація: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Безкоштовна доставка
Характеристики
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
  • Packaging: Digi-Reel®
  • Part Status: Active
  • FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: Die
  • Supplier Device Package: Die
digikey
Доступно штук: 4567
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
Кількість Ціна, грн з ПДВ
1+ 104,280 грн
10+ 93,789 грн
25+ 88,480 грн
100+ 69,014 грн
250+ 67,245 грн
500+ 58,397 грн
1000+ 49,549 грн
digikey
Доступно штук: 4567
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість Ціна, грн з ПДВ
1+ 104,280 грн
10+ 93,789 грн
25+ 88,480 грн
100+ 69,014 грн
250+ 67,245 грн
500+ 58,397 грн
1000+ 49,549 грн
Cookies Text