GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Код виробника: EPC2106ENGRT
- Виробник: EPC
- Код: 917-EPC2106ENGRDKR-ND
- Інформація: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Безкоштовна доставка
Характеристики
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
- Packaging: Digi-Reel®
- Part Status: Active
- FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
- Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Supplier Device Package: Die
digikey
Доступно штук: 4567
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 104,280 грн |
10+ | 93,789 грн |
25+ | 88,480 грн |
100+ | 69,014 грн |
250+ | 67,245 грн |
500+ | 58,397 грн |
1000+ | 49,549 грн |
digikey
Доступно штук: 4567
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 104,280 грн |
10+ | 93,789 грн |
25+ | 88,480 грн |
100+ | 69,014 грн |
250+ | 67,245 грн |
500+ | 58,397 грн |
1000+ | 49,549 грн |