GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- Код виробника: EPC2110ENGRT
- Виробник: EPC
- Код: 917-EPC2110ENGRCT-ND
- Інформація: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Безкоштовна доставка
Характеристики
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
- Packaging: Cut Tape (CT)
- Part Status: Active
- FET Type: 2 N-Channel (Dual) Common Source
- FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
- Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Supplier Device Package: Die
digikey
Доступно штук: 4078
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 135,880 грн |
10+ | 122,292 грн |
25+ | 115,353 грн |
100+ | 89,965 грн |
250+ | 87,658 грн |
500+ | 76,124 грн |
1000+ | 64,590 грн |
digikey
Доступно штук: 4078
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 140,304 грн |
10+ | 125,958 грн |
25+ | 118,791 грн |
100+ | 92,664 грн |
250+ | 90,288 грн |
500+ | 78,408 грн |
1000+ | 66,528 грн |