Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  • Код виробника: PDTD113ES,126
  • Виробник: NXP USA Inc.
  • Код: PDTD113ES,126-ND
  • Інформація: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Безкоштовна доставка
Характеристики
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  • Packaging: Tape & Box (TB)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN - Pre-Biased
  • Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
  • Resistor - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • Power - Max: 500mW
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: PDTD113
digikey
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 10000 шт.
Кількість Ціна, грн з ПДВ
10000+ 0,000 грн
Cookies Text