TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Код виробника: PDTD113ES,126
- Виробник: NXP USA Inc.
- Код: PDTD113ES,126-ND
- Інформація: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Безкоштовна доставка
Характеристики
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
- Packaging: Tape & Box (TB)
- Part Status: Obsolete
- Transistor Type: NPN - Pre-Biased
- Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
- Resistor - Base (R1): 1 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
- Power - Max: 500mW
- Mounting Type: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Supplier Device Package: TO-92-3
- Base Part Number: PDTD113
digikey
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 10000 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
10000+ | 0,000 грн |