MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
- Код виробника: SIHJ10N60E-T1-GE3
- Виробник: Vishay Siliconix
- Код: SIHJ10N60E-T1-GE3-ND
- Інформація: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 600V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784pF @ 100V
- Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Surface Mount
- Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
- Package / Case: 8-PowerTDFN
digikey
Доступно штук: 1687
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 177,030 грн |
| 10+ | 159,327 грн |
| 100+ | 128,041 грн |
| 500+ | 105,199 грн |
| 1000+ | 87,165 грн |
| 2500+ | 81,154 грн |
| 5000+ | 79,952 грн |