IGBT MOD 1700V 110A 625W
- Код виробника: BSM75GB170DN2HOSA1
- Виробник: Infineon Technologies
- Код: BSM75GB170DN2HOSA1-ND
- Інформація: IGBT MOD 1700V 110A 625W
Безкоштовна доставка
Характеристики
IGBT Module Half Bridge 1700 V 110 A 625 W Chassis Mount Module
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
- Power - Max: 625 W
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
- Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
- Packaging: Tray
- Manufacturer: Infineon Technologies
- Part Status: Obsolete
- Configuration: Half Bridge
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700V
- Current - Collector (Ic) (Max): 110A
- Power - Max: 625W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Operating Temperature: 150°C (TJ)
- Mounting Type: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Supplier Device Package: Module
digikey
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 0 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
digikey
Доступно штук: 637
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 3 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 3+ | 6390,784 грн |