MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- Код виробника: BSZ0901NSIATMA1
- Виробник: Infineon Technologies
- Код: BSZ0901NSIATMA1CT-ND
- Інформація: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
- Packaging: Cut Tape (CT)
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Surface Mount
- Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
- Package / Case: 8-PowerTDFN
digikey
Доступно штук: 4490
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 78,326 грн |
| 10+ | 70,112 грн |
| 100+ | 49,931 грн |
| 500+ | 42,323 грн |
| 1000+ | 34,476 грн |