![](/rails/active_storage/blobs/redirect/eyJfcmFpbHMiOnsibWVzc2FnZSI6IkJBaHBBemkrQVE9PSIsImV4cCI6bnVsbCwicHVyIjoiYmxvYl9pZCJ9fQ==--9d6efd59f9d92bcfee7aa6201f15e725b39d19d7/TO-3P-3,TO-247-3.jpg)
![](/rails/active_storage/blobs/redirect/eyJfcmFpbHMiOnsibWVzc2FnZSI6IkJBaHBBemkrQVE9PSIsImV4cCI6bnVsbCwicHVyIjoiYmxvYl9pZCJ9fQ==--9d6efd59f9d92bcfee7aa6201f15e725b39d19d7/TO-3P-3,TO-247-3.jpg)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
- Код виробника: FCA20N60F
- Виробник: onsemi
- Код: FCA20N60F-ND
- Інформація: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V
- Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-3PN
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Base Part Number: FCA20N60
digikey
Доступно штук: 415
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 441,427 грн |
30+ | 349,973 грн |
120+ | 299,974 грн |
510+ | 266,646 грн |
1020+ | 228,315 грн |
2010+ | 214,983 грн |
tme
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мінімальне замовлення: 1 шт.
Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
1+ | 395,556 грн |
4+ | 218,719 грн |
11+ | 206,753 грн |
2010+ | 204,758 грн |