IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- Код виробника: GT60N321(Q)
- Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
- Код: GT60N321(Q)-ND
- Інформація: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Безкоштовна доставка
Характеристики
IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
- Packaging: Tube
- Part Status: Obsolete
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000V
- Current - Collector (Ic) (Max): 60A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
- Power - Max: 170W
- Input Type: Standard
- Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
- Reverse Recovery Time (trr): 2.5µs
- Operating Temperature: 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Package / Case: TO-3PL
- Supplier Device Package: TO-3P(LH)
- Base Part Number: GT60
digikey
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 100 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 100+ | 0,000 грн |