PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
- Код виробника: RN2907,LF(CT
- Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
- Код: RN2907LF(CTCT-ND
- Інформація: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Безкоштовна доставка
Характеристики
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
- Packaging: Cut Tape (CT)
- Part Status: Active
- Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
- Resistor - Base (R1): 10kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
- Frequency - Transition: 200MHz
- Power - Max: 200mW
- Mounting Type: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Supplier Device Package: US6
digikey
Доступно штук: 6000
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 20,261 грн |
| 10+ | 16,584 грн |
| 25+ | 13,928 грн |
| 100+ | 6,799 грн |
| 250+ | 6,694 грн |
| 500+ | 5,673 грн |
| 1000+ | 3,942 грн |