MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
- Код виробника: SIHP180N60E-GE3
- Виробник: Vishay Siliconix
- Код: SIHP180N60E-GE3-ND
- Інформація: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Packaging: Tube
- Packaging: Cut Tape (CT)
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 100V
- Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-220AB
- Package / Case: TO-220-3
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
- Base Part Number: SIHP180
digikey
Доступно штук: 0
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1000 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1000+ | 112,706 грн |