X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Код виробника: TK8R2A06PL,S4X
- Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
- Код: TK8R2A06PLS4X-ND
- Інформація: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Безкоштовна доставка
Характеристики
N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
- Packaging: Tube
- Part Status: Active
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
- Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
- Operating Temperature: 175°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-220SIS
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
digikey
Доступно штук: 276
Термін поставки: Доставка протягом 3....6 тижднів
Мімнімальне замовлення: 1 шт.
| Кількість | Ціна, грн з ПДВ |
| 1+ | 111,786 грн |
| 10+ | 100,232 грн |
| 25+ | 95,160 грн |
| 100+ | 71,370 грн |
| 250+ | 70,691 грн |
| 500+ | 60,495 грн |
| 1000+ | 49,280 грн |
| 2500+ | 48,600 грн |
| 5000+ | 44,182 грн |